PNP-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD243C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65°C...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD245C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD245C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD249C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD249C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD249C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, SOT-93, SOT-93, 100V, 25A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: SOT-93. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-93. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD250C. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 32V, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 32V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 32V. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD438. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 130. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Ic(Impuls): 7A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD437. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD440. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD442. Grenzfrequenz ft [MHz]: 3 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 7A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD441. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V

NPN-Transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Spec info: Isolierkoffer. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 12 MHz. Funktion: NF-L. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Ic(Impuls): 8A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 20. Vebo: 1.5V

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 1500. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 12A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 62.5W. RoHS: ja. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD652. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 62.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 10A, 45V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD678. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD677A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: hFE 750. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD679. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10MHz. Funktion: Power Linear und Switching. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 14W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD679A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.8V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, SOT-32, 100V, 4A, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD682. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: NF-L. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD681. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-225, TO-225, 100V, 4A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-225. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD682G. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 4A, 120V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Hinweis: >750. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: PNP

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BD810G. Grenzfrequenz ft [MHz]: 1.5 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 90W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C