Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V - P50N03LD

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N-Kanal-Transistor, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V - P50N03LD. N-Kanal-Transistor, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. IDSS: 25uA. IDSS (max): 50A. Einschaltwiderstand Rds On: 15m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 20V. C(in): 1200pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 150A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Originalprodukt vom Hersteller Niko-semi. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 08:25.

Technische Dokumentation

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IPD50N03S2L-06
N-Kanal-Transistor, 50A, 50A, 27uA, 7.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 27uA. Einschaltwiderstand Rds On: 7.6m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1900pF. Kosten): 760pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logic Level, Enhancement mode. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 200A. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: PN03L06. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 136W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: OptiMOS® Power-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V
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