Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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P50N03LD

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P50N03LD. C(in): 1200pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. IDSS: 25uA. IDSS (max): 50A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 15m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 20V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.

Technische Dokumentation

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