HUF76121D3S

HUF76121D3S. C(in): 850pF. Kosten): 465pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 58 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 76121D. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.017 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 45 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-252AA ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.