IPD50N03S2L-06

IPD50N03S2L-06. C(in): 1900pF. Kosten): 760pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logic Level, Enhancement mode. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 27uA. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: PN03L06. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 136W. Einschaltwiderstand Rds On: 7.6m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: OptiMOS® Power-Transistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.