FDD6635

FDD6635. C(in): 1400pF. Kosten): 317pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 26 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 59A. IDSS (max): 59A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDD6635. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 55W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 28 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.