IRF540N

IRF540N. C(in): 1960pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 115 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 130W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.044 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 39 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 20:25.