NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.03A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorstrom: 0.03A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: 47k Ohms. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 47k Ohms. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 26. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 26. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 100A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOTOP ( SOT-227 ), 400V. Kollektorstrom: 100A. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT-227 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Power Darlington NPN-Transistormodul. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 300. Ic(Impuls): 150A. Hinweis: verschraubt. Anzahl der Terminals: 4. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 225W. RoHS: ja. Spec info: Single Dual Emitter. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Transistortyp: NPN & NPN. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.25V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, ISOTOP, 84A. Gehäuse: ISOTOP. Kollektorstrom Ic [A], max.: 84A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Konfiguration: verschraubt. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: ESM6045DV. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 20A. Hinweis: Siebdruck . Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1550V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. CE-Diode: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: „High V-Farbdisplay Hor Defl (mit Dämpferdiode)“. Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 20A. Hinweis: Siebdruck J6810. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810D. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. CE-Diode: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 24A. Hinweis: Siebdruck J6812. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6812. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Kollektorstrom: 17A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HALLO-FI. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J4315O. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) FJL4215-O. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 20A, TO-247, TO-247, 750V. Kollektorstrom: 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 19-Zoll-Monitor. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Spec info: VEBO 6V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V

NPN-Transistor, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Kollektorstrom: 20A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 8.5. Minimaler hFE-Gewinn: 5.5. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Schaltkreise. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Ic(Impuls): 300mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 10V

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 110pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13007. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 110pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 28. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13007-1. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 110pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 39. Minimaler hFE-Gewinn: 26. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13007-2. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 180pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 17. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13009. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 180pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 28. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13009-2. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 2A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 619. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 165 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: hFE 5000. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) FP1016. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 0.3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 0.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FZT458. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 7A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 7A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FZT849. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 24A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 800V. Kollektorstrom: 24A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA hi-res (F). Ic(Impuls): 36A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: 0.17...0.31us. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.95V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 10V

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1. Funktion: HA, hi-def. Hinweis: 0.2. Spec info: MONITOR

NPN-Transistor. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Funktion: HA, hi-def. Hinweis: 0.2. Spec info: MONITOR

NPN-Transistor, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Kollektorstrom: 7A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 47. Minimaler hFE-Gewinn: 29. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Spec info: Epitaxialer Planartransistor . Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VCBO: 450V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Vebo: 10V