NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Konditionierung: Kunststoffrohr. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Siebdruck . Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1550V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Konditionierung: Kunststoffrohr. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: „High V-Farbdisplay Hor Defl (mit Dämpferdiode)“. Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810D. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Siebdruck J6810. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 12A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 12A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Konditionierung: Kunststoffrohr. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6812. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Siebdruck J6812. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Kollektorstrom: 17A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HALLO-FI. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J4315O. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VCBO: 250V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) FJL4215-O

NPN-Transistor, 20A, TO-247, TO-247, 750V. Kollektorstrom: 20A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: 19-Zoll-Monitor. Spec info: VEBO 6V

NPN-Transistor, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Kollektorstrom: 20A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 8.5. Minimaler hFE-Gewinn: 5.5. Ic(Impuls): 30A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 25

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Schaltkreise. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Ic(Impuls): 300mA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Kosten): 110pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13007. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Kosten): 110pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 28. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13007-1. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Kosten): 110pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 39. Minimaler hFE-Gewinn: 26. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13007-2. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Kosten): 180pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 17. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13009. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Kosten): 180pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 28. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13009-2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 2A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 619. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 165 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor

NPN-Transistor, 8A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: hFE 5000. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) FP1016

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 0.3A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 0.3A. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FZT458. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-223, 7A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 7A. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FZT849. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 24A, ISOWATT218FX, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 24A. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA hi-res (F). Ic(Impuls): 36A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.95V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 10V. Menge pro Karton: 1. Spec info: 0.17...0.31us

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1. Funktion: HA, hi-def. Hinweis: 0.2. Spec info: MONITOR

NPN-Transistor. Menge pro Karton: 1. Funktion: HA, hi-def. Hinweis: 0.2. Spec info: MONITOR. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Kollektorstrom: 7A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 47. Minimaler hFE-Gewinn: 29. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -50...+150°C. VCBO: 450V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Vebo: 10V. Spec info: Epitaxialer Planartransistor

NPN-Transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126ML, 160V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126ML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 160...320. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) HSB1109

NPN-Transistor, 500mA, TO-5, TO-5, 75V. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: TO-5. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-5. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 75V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 35...125. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Spec info: Lo-Pwr BJT

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Transistortyp: NPN. Spec info: TO-92M