NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126ML, 160V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126ML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 160...320. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) HSB1109. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 500mA, TO-5, TO-5, 75V. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse: TO-5. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-5. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 75V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 35...125. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Spec info: Lo-Pwr BJT. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Spec info: TO-92M. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Spec info: TO-92M. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Spec info: TO-92M. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.7A, 140V. Kollektorstrom: 0.7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 2.6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V

NPN-Transistor, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Kollektorstrom: 200mA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: Farb-TV-Chroma-Ausgabe (VID-L). Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1507 O. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Kollektorstrom: 200mA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: Farb-TV-Chroma-Ausgabe (VID-L). Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1507 Y. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 3L (AMMO). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 110 MHz. Funktion: HI-FI-Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 300. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C1845. Äquivalente: 2SC1845. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSA992. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.07V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 0.7A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 170 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 50pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: TV-Vertikalablenkungsausgang. Maximaler hFE-Gewinn: 125. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSA940. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 50pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: TV-Vertikalablenkungsausgang. Maximaler hFE-Gewinn: 125. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSA940. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 150V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92L (9mm magas). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2310 O. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92L (9mm magas). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2310 Y. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 2A, 30 v. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Widerstand B: 10. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 10. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Widerstand B: 10. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 10. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: 0501-000367. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: 9mm Höhe. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.7A, TO-92, TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ), 60V. Kollektorstrom: 0.7A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Kosten): 60pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: hFE 120...240. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V

NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 60pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 10A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: KSC5027 (O). Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: 0...+150°C. VCBO: 1100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 60pF. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: 0...+150°C. VCBO: 1100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 0.1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 900V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 900V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 10. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dyn Focus. Pd (Verlustleistung, max): 4W. Spec info: HV switch. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 8A, 800V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 10. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Hinweis: MONITOR. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Kollektorstrom: 7A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 10. CE-Diode: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: High Switching 0.1us. Maximaler hFE-Gewinn: 22. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5386. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: VEBO 6V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 4.2V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA (F). Pd (Verlustleistung, max): 60W. Spec info: Monitor 68KHz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 90pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA (F). Pd (Verlustleistung, max): 60W. Spec info: Rbe 50 Ohms, monitor 69kHz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA (F). Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5803. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Spec info: For C-Monitor (85KHz). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V