NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.03A, 35V. Kollektorstrom: 0.03A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: FM-V/M/O/IF. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Spec info: 12149301860. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.03A, 35V. Kollektorstrom: 0.03A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 35V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: FM-V/M/O/IF. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Spec info: 62137301900. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.05A, 30 v. Kollektorstrom: 0.05A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Hinweis: hFE 350...700. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Spec info: 0501-000394. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 150mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Pinbelegung: 1. C(in): 1.5pF. Kosten): 11pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSA733. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 150mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Pinbelegung: 1. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSA733. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 35pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 150. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D2012-G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KSB1366. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Kosten): 20pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Kosten): 500pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Spec info: 0.1...0.3us. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 5A, 100V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Kosten): 500pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Spec info: 12149-401-070. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Kosten): 500pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Spec info: SD882-Y. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 400V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 180pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: „Hochspannungsschaltmodus“. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 24A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 4A, 60V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: b>750. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Spec info: 0503-000001. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 600mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrom: 600mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 8pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 285 ns. Tf(min): 35 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SW. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: R1002. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: 22k Ohms. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 22k Ohms. Kosten): 100pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: SW. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: R1003. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: +55...+150°C. VCBO: 50V. Vebo: 10V

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SW. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: R1007. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V

NPN-Transistor, 0.1A, 40V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.1A, 40V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.1A, 40V. Kollektorstrom: 0.1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S. Hinweis: 0.3W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, TO-92, TO-92. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. BE-Diode: NINCS. Kosten): 0.8pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrom: 20mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. Kosten): 3.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 800 MHz. Funktion: FM-V/M/O. Maximaler hFE-Gewinn: 198. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 15.8k Ohms. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Vebo: 4 v

NPN-Transistor, 3A, 80V. Kollektorstrom: 3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: hFE 20...90. Hinweis: T32. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. VCBO: 120V

NPN-Transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 0.6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 11 MHz. Funktion: S-L. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 210V

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 1pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungstransistor für CRT mit Standardauflösung. Maximaler hFE-Gewinn: 8.5. Minimaler hFE-Gewinn: 5.5. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 57W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 0.55pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungstransistor für CRT mit Standardauflösung. Maximaler hFE-Gewinn: 7.5. Minimaler hFE-Gewinn: 5.5. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 57W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Vebo: 10V