NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Schaltgeschwindigkeit. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 240V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 15A, 150V. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 15A, TO-247, 450V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUV48A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: 8:1. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 5A, 400V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Transistortyp: NPN. VCBO: 850V

NPN-Transistor, 5A, TO-3PN, 450V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannung, schnell schaltend. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 5A, 400V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Transistortyp: NPN. VCBO: 850V

NPN-Transistor, 10A, TO-247, TO-247, 450V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 10A, 400V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Transistortyp: NPN. VCBO: 850V

NPN-Transistor, 15A, TO-3PN, 400V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Pd (Verlustleistung, max): 175W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 15A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUX48A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 175W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

NPN-Transistor, 2A, 400V. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8 MHz. Funktion: S. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. VCBO: 450V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 2A, TO-220, 450V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUX85G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V

NPN-Transistor, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 450V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: S-L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-126, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-126. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-82. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BUX87P. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 42W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 25 MHz. Funktion: S-L. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +200°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V

NPN-Transistor, 2A, 800V. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. VCBO: 2200V

NPN-Transistor, 10A, 200V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Transistortyp: NPN. VCBO: 280V

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 130pF. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D44H11. Äquivalente: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) D45H11. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Tf(max): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: D44H11G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 10A, TO-220, TO-220, 60V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: D44H8. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Transistortyp: NPN. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: D44H8G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220AC, 80V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: S-L, Low-sat. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 20A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 83W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) D45VH10. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 90 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59, 50V. Kollektorstrom: 50mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SC-59. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: 10k Ohms. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 10k Ohms. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: DTR.. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 24. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 24. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 0.2W. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V

NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Widerstand B: 4.7k Ohms. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Transistor mit eingebautem Vorspannungswiderstand. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 33. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: *33, P33, t33, w33. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Produktionsdatum: 2014/49. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 18. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 10V