NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 8A, 700V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 34W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, PCB-Löten, ISOWATT-218, 8A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ISOWATT-218. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BU508DFI. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 700V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 7 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

NPN-Transistor, 8A, 480V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 480V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-SN. Pd (Verlustleistung, max): 62W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1100V. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 7A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 330V/200V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 90W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 7A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 330V/ 200V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 90W

NPN-Transistor, 5A, TO-220FP, TO-220FH, 700V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FH. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V. Menge pro Karton: 1. Spec info: TO-220FH

NPN-Transistor, 8A, ISOWATT218FX, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Widerstand: 42 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 230. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 62W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.6V. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms)

NPN-Transistor, 8A, ISOWATT218, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Widerstand: 260 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Pd (Verlustleistung, max): 62W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V. Vebo: 5V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: hFE 60...230, isoliertes Kunststoffgehäuse. Spec info: Fallzeit 0,8us

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 15A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BU941ZP. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 350V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 155W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

NPN-Transistor, 15A, 400V. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S-L. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Transistortyp: NPN. VCBO: 500V. Hinweis: >300. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Abfallzeit 625 ns. Maximaler hFE-Gewinn: 3400. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Menge pro Karton: 1. Spec info: 360-450V Clamping

NPN-Transistor, 0.5A, D-PAK ( TO-252 ), 450V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Menge pro Karton: 1. Spec info: HV-POWER

NPN-Transistor, 30A, TO-247, TO-247, 450V. Kollektorstrom: 30A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Ic(Impuls): 60A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Hochspannungs-Multi-Epitaxie-Planar-Technologie“. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.05us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Schnell schaltender Hochspannungs-Leistungstransistor

NPN-Transistor, 14A, ISOWATT218FX, TO-218-ISO, 700V. Kollektorstrom: 14A. Gehäuse: ISOWATT218FX. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218-ISO. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 14. Minimaler hFE-Gewinn: 7. Ic(Impuls): 18A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 220 ns. Tf(min): 110 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: hi-res, monitor 19. Spec info: Icmax--18A <5mS

NPN-Transistor, 16A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218 ( SOT93 ), 700V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218 ( SOT93 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Hochspannungs-Schnellschalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 14. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 22A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 210 ns. Tf(min): 110 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Icm.22A <5ms

NPN-Transistor, 5A, 700V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Menge pro Karton: 1. Spec info: MONITOR

NPN-Transistor, 5A, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 700V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: ISOWATT218FX. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: „Hochauflösend“. Maximaler hFE-Gewinn: 9. Minimaler hFE-Gewinn: 2.5. Ic(Impuls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 44W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: MONITOR

NPN-Transistor, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: ISOWATT218. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Maximaler hFE-Gewinn: 6. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 15A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Tf (Typ): 190 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Menge pro Karton: 1. Spec info: MONITOR. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 10A, 700V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Pd (Verlustleistung, max): 57W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Hinweis: MONITOR. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ts 2.1/3.1us

NPN-Transistor, 4A, 400V. Kollektorstrom: 4A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 32. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Tf (Typ): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochspannung, schnell schaltend. Spec info: TO-220. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 6A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1600V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Funktion: Hochspannungsschnellschaltung, zum Schalten von Netzteilen. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 14. Minimaler hFE-Gewinn: 6. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 150us. Tf(min): 80us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schnelles Schalten für Schaltnetzteile

NPN-Transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Maximaler hFE-Gewinn: 13.5. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SMPS S-L. Ic(Impuls): 10A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 0.8us. Transistortyp: NPN. VCBO: 800V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Vebo: 9V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung

NPN-Transistor, 4A, TO-220, TO-220, 450V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Kommutierung für Schaltnetzteil. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 50 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 850V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.13V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFMS 8A, tp <5 ms