Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V - KSC5027F-R

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NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V - KSC5027F-R. NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 60pF. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: 0...+150°C. VCBO: 1100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 16:25.

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NPN-Transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 50. Kosten): 156pF. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 13 MHz. Funktion: Schaltkreise. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 18. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+175°C. VCBO: 1200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.83V. Vebo: 10V
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