NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 12A, 350V. Kollektorstrom: 12A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V

NPN-Transistor, 5A, 700V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247FP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 8A, 700V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 8A, TO-247, TO-247, 700V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: (F). Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Spec info: 33 Ohms

NPN-Transistor, 9A, TO-247, TO-247FP, 800V. Kollektorstrom: 9A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247FP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 9A, TO-3PF ( SOT399 ), 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 9A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF ( SOT399 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: VCE(sat) 5.0V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Spec info: Geeignet für die Stromversorgung von SONY-Fernsehern

NPN-Transistor, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 13. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 25A. Hinweis: Isolationsspannung 2500V. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Leistungstransistor. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Funktion: Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeitsschaltung. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit)

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 25A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.22us. Tf(min): 0.16us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: MONITOR. Funktion: TV-HA, hi-res (F)

NPN-Transistor, 10A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 25A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Silizium-Leistungstransistor. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 12A, SOT-199, SOT-199, 800V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: SOT-199. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-199. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA Hi-re. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Menge pro Karton: 1. Spec info: (F)

NPN-Transistor, 12A, TO-247, TO-247, 800V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA Hi-re. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 12A, TO-3P(H)IS, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 12A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P(H)IS. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kosten): 145pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CTV-HA Hi-re. Ic(Impuls): 30A. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.35us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 12A, SOT-199, 800V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: SOT-199. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA hi-re. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Menge pro Karton: 1. Spec info: SOT199 (F)

NPN-Transistor, 12A, 800V. Kollektorstrom: 12A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA hi-re. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Menge pro Karton: 1. Spec info: SOT399 (F)

NPN-Transistor, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 12A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA hi-re (F). Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 12A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-399. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA hi-re (F). Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

NPN-Transistor, 16A, 800V. Kollektorstrom: 16A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Menge pro Karton: 1. Spec info: 1.4...1.8us

NPN-Transistor, 8A, 825V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 825V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ts 4.8us, Tf 0.4us

NPN-Transistor, 8A, 825V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 825V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Menge pro Karton: 1. Spec info: 4.8us

NPN-Transistor, 10A, 825V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 825V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Hinweis: MONITOR. Menge pro Karton: 1. Spec info: 7.4us

NPN-Transistor, 12A, 1700V. Kollektorstrom: 12A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1700V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Leistungstransistor. Transistortyp: NPN. Hinweis: MONITOR 16KHz. Menge pro Karton: 1. Spec info: Rbe 70 Ohms, SOT199 (TO-247F)