NPN-Transistor, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V - BU2508AF
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.16€ | 2.57€ |
| 5 - 9 | 2.05€ | 2.44€ |
| 10 - 11 | 1.94€ | 2.31€ |
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NPN-Transistor, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V - BU2508AF. NPN-Transistor, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247FP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 22/04/2025, 21:25.
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NPN-Transistor, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1550V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
NPN-Transistor, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1550V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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