NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 6A, 120V. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: B=1000. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 6A, 120V. Kollektorstrom: 6A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: NF/SL. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 1A, 60V. Kollektorstrom: 1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB764. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-3, 6A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2SD871. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1500V/600V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W

NPN-Transistor, 3A, 30 v. Kollektorstrom: 3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Io-sat. Pd (Verlustleistung, max): 0.75W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: NINCS. Kosten): 45pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 7A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D882. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB772. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, PCB-Löten, M31/J, 7A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M31/J. Kollektorstrom Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 330V/200V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W

NPN-Transistor, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: hFE 4000. Pd (Verlustleistung, max): 5W. Spec info: TO-126. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.02A, 120V. Kollektorstrom: 0.02A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: NF. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 50pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: NF-Ausgangsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 600. Minimaler hFE-Gewinn: 340. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, PCB-Löten, D8/C, 500mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D8/C. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W

NPN-Transistor, 12A, TO-220, TO-220C, 400V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220C. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Fast-switching. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D13009K. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Vebo: 9V

NPN-Transistor, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D209L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(min): 0.7us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V

NPN-Transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126F, 490V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 490V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 20. Minimaler hFE-Gewinn: 16. Ic(Impuls): 3A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4202BD. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.7us. Transistortyp: NPN. VCBO: 800V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.18V. Vebo: 13V

NPN-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-323, 40mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-323. Kollektorstrom Ic [A], max.: 40mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Hochfrequenz -NPN -Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 32. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 5.5V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2.4GHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Widerstand B: NINCS. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-18. Kosten): 4.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 0.1A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 4.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Funktion: Allzweck. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V

NPN-Transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO39, 60V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO39. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 80pF. Kosten): 25pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: für mittlere Leistung und Schaltanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC161-16. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 500. Minimaler hFE-Gewinn: 240. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 500. Minimaler hFE-Gewinn: 240. Hinweis: ( E,C,B ). Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 280 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN