Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V - BC33716

NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V - BC33716
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NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V - BC33716. NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-16. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 28/07/2025, 01:25.

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NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 15pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 210 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
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NPN-Transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 15pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 210 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 1A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
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NPN-Transistor, TO92, 45V. Gehäuse: TO92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 45V. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. Polarität: NPN. Leistung: 0.625W. Collector-Base-Spannung VCBO: 50V. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Bandbreite MHz: 100MHz. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 170. Strom max 1: 0.8A. Serie: BC
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