Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 65V - BC546C

NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 65V - BC546C
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NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 65V - BC546C. NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 65V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 6pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Ic(Impuls): 200mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller Lge Technology. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 14:25.

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NPN-Transistor, TO-92, PCB-Löten, 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse: PCB-Löten. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC546B. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 65V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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NPN-Transistor, TO-92, PCB-Löten, 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse: PCB-Löten. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BC546B. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 65V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C
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