Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 3A, TO-126, 30 v, TO-126 (TO-225, SOT-32) - 2SD882

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NPN-Transistor, 3A, TO-126, 30 v, TO-126 (TO-225, SOT-32) - 2SD882. NPN-Transistor, 3A, TO-126, 30 v, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 3A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kosten): 45pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Ic(Impuls): 7A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D882. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB772. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 17:25.

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