NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 12A, 600V. Kollektorstrom: 12A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Vce(sat) 3V. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Hinweis: Monitor HA (F). Spec info: VEBO 5V. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ), 80V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 270. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Ic(Impuls): 10A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5103. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf(max): 0.3 ns. Tf(min): 0.1 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Funktion: Motortreiber, LED-Treiber. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1952

NPN-Transistor, 10A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.7 MHz. Funktion: MONITOR HA,Hi-res. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5129. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: Abfallzeit 0,15..03us (64kHz). CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 10A, 600V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: MONITOR. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Funktion: HA, Hi-res. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F2A ), 600V. Kollektorstrom: 20A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264 ( 2-21F2A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.7 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 40A. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Spec info: Monitor -HA

NPN-Transistor, 8A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. Funktion: Horizontal Deflection Output, high speed Switch

NPN-Transistor, 8A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: schnelle Bedienung, für horizontale Ablenkung (TV). Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5149. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Spec info: „Triple Diffused MESA Type“

NPN-Transistor, 10A, 700V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: VCE(sat) 3V max. Hinweis: MONITOR, HA,Hi-res, fT--2MHz. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Spec info: TO-3P (Plastic). CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5171. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxietyp . Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.16V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1930. Funktion: TV, SL. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 8A, 120V. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HALLO-FI. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1940

NPN-Transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1B. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Kosten): 170pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5198 O. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1941. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264 ( 2-21F1A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Kosten): 200pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5200 (Q). Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1943. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 230V, 15A, TO-264. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 230V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-264. Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Funktion: HI-FI-Leistungsverstärker. Max Frequenz: 30MHz. Leistung: 150W

NPN-Transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1A, 230V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Kosten): 200pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5242. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 230V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1962. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 1700V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TOP-3L. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 12:1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple-Diffusion-Mesa-Typ“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.12us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 12A, 800V. Kollektorstrom: 12A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Display-HA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Spec info: MONITOR. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 8A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Widerstand: 43 Ohms. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 0.1 ns. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 8A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 16A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V

NPN-Transistor, 10A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Zur hochauflösenden horizontalen Ablenkung. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 25A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Spec info: Display-HA MONITOR. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 20A, 800V. Kollektorstrom: 20A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Spec info: 8.729.033.99. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 15A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 15A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 35A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5302. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 6V. Spec info: hohe Geschwindigkeit (tf=100ns typ.)

NPN-Transistor, PCB-Löten, D35/B, 20mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W

NPN-Transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264 ( 2-21F1A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1987. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 150mA, TO-92, TO-92S, 50V. Kollektorstrom: 150mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92S. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: Allzweck. Ic(Impuls): 400mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA608. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.7 MHz. Funktion: High Switching, Horizontal Deflection out. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 4.3. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5386. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res