NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 10A, 600V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: VCE(sat) 3V max. Hinweis: „Triple Diffused MESA Type“. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)

NPN-Transistor, 14A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 14A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Funktion: Monitor HA,hi-res, fH--64KHz. Ic(Impuls): 28A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Spec info: VCE(sat) max. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 14A, TO-3FP, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 14A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3FP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kosten): 190pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: HA, Hi-res. Ic(Impuls): 28A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: fH--64KHz. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 8A, TO-3PFM, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PFM. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Funktion: CTV/Monitor Horizntal Deflection Output. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 16A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Spec info: Silicon NPN Triple Diffused

NPN-Transistor, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PFM. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkungsausgabe. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5449. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 70mA, SSFP 1.4x0.8x0.6mm, 10V. Kollektorstrom: 70mA. Gehäuse (laut Datenblatt): SSFP 1.4x0.8x0.6mm. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 10V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7GHz. Funktion: VHF/UHF. Maximaler hFE-Gewinn: 200. Minimaler hFE-Gewinn: 90. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: LN. Pd (Verlustleistung, max): 0.1W. Transistortyp: NPN. VCBO: 20V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code LN

NPN-Transistor, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 1500V. Kollektorstrom: 17A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TOP-3L. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 12:1. Minimaler hFE-Gewinn: 6. Ic(Impuls): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5583. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Funktion: Samsung Monitor 19 inch. Spec info: „Triple-Diffusion-Mesa-Typ“

NPN-Transistor, 15A, 800V. Kollektorstrom: 15A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hi-res, monitor 19. Hinweis: hFE 22...45 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Spec info: Triple diffusion mesa tipe

NPN-Transistor, 12A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 12A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PMLH. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: High-Speed. Maximaler hFE-Gewinn: 11. Minimaler hFE-Gewinn: 3. Ic(Impuls): 36A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5696. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 85W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.3us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1600V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. BE-Widerstand: ja. CE-Diode: ja

NPN-Transistor, 8A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PMLH. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 7. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5698. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Funktion: Hochgeschwindigkeit, CTV-HA

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-251, 7.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-251. Kollektorstrom Ic [A], max.: 7.5A. RoHS: ja. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Grenzfrequenz ft [MHz]: 400 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 15W

NPN-Transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 400 MHz. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 7.5A. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.135V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA2039

NPN-Transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251AA ( I-PAK ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 11A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5707. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.11V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA2040. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 330 MHz. Funktion: DC-DC-Wandler, TFT-Netzteil. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 11A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5707T. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 15W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaxialer planarer Siliziumtransistor“. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.11V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA2040FA

NPN-Transistor, 21A, 700V. Kollektorstrom: 21A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. Hinweis: Vce(sat) 3Vmax

NPN-Transistor, 20A, 800V. Kollektorstrom: 20A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Def.Ou. Hinweis: hFE 4...7 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Transistortyp: NPN. VCBO: 1600V. Spec info: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“

NPN-Transistor, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 12A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5803. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V

NPN-Transistor, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Kollektorstrom: 22A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-21F2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: Für hochauflösende horizontale Ablenkung, HD-TV. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 44A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Kollektorstrom: 23A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-21F2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: Für hochauflösende horizontale Ablenkung, HD-TV. Maximaler hFE-Gewinn: 55. Minimaler hFE-Gewinn: 4.5. Ic(Impuls): 46A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 210W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.15us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 6A, TO-220FP, TO-220F, 1500V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: CRT-HA (F). Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 20A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrom: 20A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PMLH. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display, High-speed.. Maximaler hFE-Gewinn: 15. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 40A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: Horizontal Deflection Output Applications

NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220F-3SG, 50V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F-3SG. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Kosten): 85pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 195 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C6082. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 23W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V. Funktion: Relaistreiber, Lampentreiber, Motortreiber. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA2210. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 200mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V/30V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-92, 50mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

NPN-Transistor, 0.03A, 15V. Kollektorstrom: 0.03A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 600 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 0.12W. Transistortyp: NPN