Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 21A, 700V - 2SC5717

NPN-Transistor, 21A, 700V - 2SC5717
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NPN-Transistor, 21A, 700V - 2SC5717. NPN-Transistor, 21A, 700V. Kollektorstrom: 21A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: Vce(sat) 3Vmax. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Originalprodukt vom Hersteller Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 23:25.

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NPN-Transistor, 15A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 35A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5302. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Spec info: hohe Geschwindigkeit (tf=100ns typ.). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 6V
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NPN-Transistor, 15A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Ic(Impuls): 35A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5302. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Spec info: hohe Geschwindigkeit (tf=100ns typ.). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 6V
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