NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 550V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 6 MHz. Funktion: Hochspannungsschalttransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 6A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 900V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 10A, 600V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: (F). Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: MONITOR. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, PCB-Löten, D35/B, 100mA. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: NPN Bipolar Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W

NPN-Transistor, 1.5A, SC-71, SC-71, 160V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: SC-71. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-71. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 14pF. CE-Diode: NINCS. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Ic(Impuls): 2.5A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 12.9k Ohms. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1770. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 80 ns. Tf(min): 80 ns. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 180V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.13V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 10mA, 1500V. Kollektorstrom: 10mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: dynamischer Fokus, Hochspannungsschaltung. Hinweis: Ic 10mA/30mApp. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Spec info: TO-220FI (Forming). Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 10mA, 1800V. Kollektorstrom: 10mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: dynamischer Fokus. Hinweis: Ic 10mA/30mApp. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Spec info: TO-220FI. Transistortyp: NPN. VCBO: 2000V

NPN-Transistor, 2A, SOT-89, 50V. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse: SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 25pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 210 MHz. Funktion: Io-sat. Maximaler hFE-Gewinn: 270. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code DK. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DK. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1797. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.13V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 50mA, 1200V. Kollektorstrom: 50mA. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5.5 MHz. Funktion: TV Dynamic Focus-Anwendungen. Hinweis: Hochspannungsschaltanwendungen. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Spec info: TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 5A, 80V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI NF-E. Hinweis: (F). Pd (Verlustleistung, max): 55W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1803. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 1500V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: MONITOR. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 6A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 1500V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PFM. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Menge pro Karton: 1. Kompatibilität: CVM4967A. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Display-HA, Hi-res. Maximaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 16A. Äquivalente: SAMSUNG 891 464744AA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: MONITOR. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Dreifach diffus“. Tf(max): 0.4us. Transistortyp: NPN. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Display-HA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: MONITOR. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 7A, 600V. Kollektorstrom: 7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: VGA-Monitor. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 7A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3FP, 800V. Kollektorstrom: 7A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3FP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 7A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), TO3PML, 800V. Kollektorstrom: 7A. Gehäuse: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO3PML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 3. Ic(Impuls): 16A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf (Typ): 0.1us. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 1500V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Vebo: 7V

NPN-Transistor, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-10R1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 20pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1837. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 230V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 1A, TO-220FP, TO-220F, 230V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: NF-L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 10A, 800V. Kollektorstrom: 10A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Kosten): 220pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Spec info: MONITOR. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PFM, 1500V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PFM. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: MONITOR. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN

NPN-Transistor, 7A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Kollektorstrom: 7A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: Display-HA. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: MONITOR (F). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 7A, 800V. Kollektorstrom: 7A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Display-HA. Hinweis: MONITOR. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 12A, 600V. Kollektorstrom: 12A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Vce(sat) 3V. Hinweis: Monitor HA (F). Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: VEBO 5V. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V

NPN-Transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ), 80V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Motortreiber, LED-Treiber. Maximaler hFE-Gewinn: 270. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Ic(Impuls): 10A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5103. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 10W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1952. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf(max): 0.3 ns. Tf(min): 0.1 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

NPN-Transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16E3A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. CE-Diode: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.7 MHz. Funktion: MONITOR HA,Hi-res. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5129. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: Abfallzeit 0,15..03us (64kHz). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 5V