Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V - 2SC5858

NPN-Transistor, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V - 2SC5858
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NPN-Transistor, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V - 2SC5858. NPN-Transistor, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Kollektorstrom: 22A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-21F2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: Für hochauflösende horizontale Ablenkung, HD-TV. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Ic(Impuls): 44A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 03:25.

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NPN-Transistor, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Kollektorstrom: 20A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Horizontale Ablenkung des Hochspannungs-Farbdisplays . Maximaler hFE-Gewinn: 8.5. Minimaler hFE-Gewinn: 5.5. Ic(Impuls): 30A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 25
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