Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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N-Kanal-Transistor, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V - SPB80N04S2-H4. N-Kanal-Transistor, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.4M Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 4480pF. Kosten): 1580pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 195 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Erweiterungsmodus . Id(imp): 320A. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N04H4. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 46 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 14:25.

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