N-Kanal-Transistor, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRLR7843

N-Kanal-Transistor, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRLR7843. N-Kanal-Transistor, 113A, 161A, 150uA, 2.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 161A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.6m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 4380pF. Kosten): 940pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2000. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 39 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 620A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: LR7843. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 34 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Funktion: Sehr niedriger RDS(on) bei 4,5 V VGS, extrem niedrige Gate-Impedanz. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 16:25.