Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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IRLR7843

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IRLR7843. C(in): 4380pF. Kosten): 940pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2000. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 39 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 620A. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 161A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: LR7843. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 140W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.6m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 34 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Funktion: Sehr niedriger RDS(on) bei 4,5 V VGS, extrem niedrige Gate-Impedanz. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 10:25.

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