STP80PF55

STP80PF55. C(in): 5500pF. Kosten): 1130pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 80A. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 165 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: STripFETTM II Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.