Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V - RFD3055LESM

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N-Kanal-Transistor, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V - RFD3055LESM. N-Kanal-Transistor, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 12A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 12A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 850pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: Diode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F3055L. Pd (Verlustleistung, max): 48W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Menge pro Karton: 1. Funktion: Logikpegelsteuerung, ESD-Schutz. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 17:25.

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