N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 3000pF. Kosten): 1170pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 610 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 40A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20N60S5. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool Mos. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 4.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 55V, 80A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N06L11. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 13 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 68 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2650pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 158W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.85 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Spannung Vds(max): 650V. C(in): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 04N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 33A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 156W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.29 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 2320pF. Kosten): 1250pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 51A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 17N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247, 650V, 20.7A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20.7A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 20N60C3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.9V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 208W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 0.19 Ohms, PG-TO247 HV, 600V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.19 Ohms. Gehäuse: PG-TO247 HV. Drain-Source-Spannung (Vds): 600V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 20A. Leistung: 208W

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, MS-012, 30 v, 8A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): MS-012. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 32 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 540pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1150pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 415 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 28A. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power-MOSFET (F). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 40V, 1mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: 1mA. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P1. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: -1.5V @ +15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Komponentenfamilie: N-Kanal-JFET-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.5m Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 3850pF. Kosten): 650pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 320A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 120N4F6. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET™ VI Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schaltanwendungen, Automotive. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 6.8A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. ID (T=100°C): 6.8A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.29 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 550V. C(in): 940pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 340 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B12NM50N. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 60 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.29 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 550V. C(in): 850pF. Kosten): 48pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 122 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B12NM50ND. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: FDmesh™ II Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (mit schneller Diode). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.115 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 470pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 90 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 52A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D10NF10. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STRipFET™ II Leistungs-MOSFET mit niedriger Gate-Ladung. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.53 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 650V. C(in): 540pF. Kosten): 44pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 315 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. Id(imp): 32A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 10NM60N. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 32 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ). Spannung Vds(max): 650V. C(in): 790pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 290 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13NM60N. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50mA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Spannung Vds(max): 800V. C(in): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D3NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 75. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50mA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 800V. C(in): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D3NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2000. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 3A. Einschaltwiderstand Rds On: 2.3 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 500V. C(in): 310pF. Kosten): 49pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 260 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 12A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D4NK50Z. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 2.5A, 4A, 1uA, 4A, 1.76 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 4A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.76 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 600V. C(in): 510pF. Kosten): 47pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D4NK60Z. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 29 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. ID (T=100°C): 2.77A. ID (T=25°C): 4.4A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.2 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252-3. Spannung Vds(max): 525V. C(in): 545pF. Kosten): 45pF. Kanaltyp: N. Anzahl der Kanäle: 1. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 17.6A. IDss (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 5N52K3. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 29 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: Schaltanwendungen, Gate-Ladung minimiert, niedriges IDSS. Spec info: Enhancement type. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.4A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.25 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252-3. Spannung Vds(max): 525V. C(in): 529pF. Kosten): 71pF. Kanaltyp: N. Anzahl der Kanäle: 1. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 17.6A. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 5N52U. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 23.1 ns. Td(on): 11.4 ns. Technologie: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: Schaltanwendungen, Gate-Ladung minimiert. Spec info: Enhancement type. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 3A, 5A, 100uA, 0.84 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.84 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 600V. Kosten): 24.6pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 213 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 7NM60N. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 26 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. C(in): 363pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 53A. IDSS (max): 53A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. Gehäuse: ISOTOP ( SOT227B ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT227B ). Spannung Vds(max): 500V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SMPS POWER MOSFET. Id(imp): 212A. Pd (Verlustleistung, max): 460W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Elektrische Isolierung: 2500V (AC-RMS). Td(on): 46 ns. Technologie: PowerMesh II MOSFET. Tf (Typ): 38 ns. Tr: 70 ns. Betriebstemperatur: -65...150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: ±30V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.37 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 850pF. Kosten): 44pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 40A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11NM60ND. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS