N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 7.6A, 12A, 50uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.37 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 870pF. Kosten): 50pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 48A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13N80K5. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 8.2A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 790pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 52A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13NM60N. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1000pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 52A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 18NM60. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 10A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F3NK80Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220FP, 1 kV, 3.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220FP. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F5NK100Z. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1154pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220FP. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 2115pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 950 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 32A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: F9NK90Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 100mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.63 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 452pF. Kosten): 30pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 324 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Niedrige Eingangskapazität und Gate -Ladung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 26A. IDss (min): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 9NM60N. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 26A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 52.5 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Ic(T=100°C): 7A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 610pF. Kosten): 65pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Funktion: Lichtdimmer, statisches Relais, Motortreiber. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 100A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GF10NB60SD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Spec info: Geringer Spannungsabfall (VCE(sat)). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 1.2 ns. Td(on): 0.7 ns. Technologie: PowerMESH IGBT. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.35V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 2.5V

N-Kanal-Transistor, 10A, TO-220, TO-220, 600V. Ic(T=100°C): 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 380pF. Kosten): 46pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Funktion: Hochfrequenz-Motorsteuerungen. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 30A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GP10NC60KD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Kurzschlussfestigkeit 10us. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 17 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V

N-Kanal-Transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 2200pF. Kosten): 225pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 44 ns. Funktion: Hochfrequenz-Wechselrichter, USV. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 150A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GW20NC60VD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 31 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.75V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.75V

N-Kanal-Transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 2510pF. Kosten): 175pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Funktion: hohe Strombelastbarkeit, hohe Eingangsimpedanz. Germaniumdiode: NINCS. Produktionsdatum: 201509. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 135A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GW30NC120HD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 220W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 275 ns. Td(on): 29 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.75V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 25V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.75V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.75V

N-Kanal-Transistor, 50A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 50A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 4550pF. Kosten): 350pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Funktion: Hochfrequenzbetrieb bis 50 kHz. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 200A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GW40NC60V. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 260W. RoHS: ja. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 140 ns. Td(on): 43 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.75V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.75V

N-Kanal-Transistor, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. Gehäuse: ISOWATT218FX. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1350pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: schneller Leistungs-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 32A. IDss (min): 25uA. Hinweis: Viso 4000V. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H8NA60FI. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Erweiterungsmodus . Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.75V. Vgs(th) min.: 2.25V

N-Kanal-Transistor, 630mA, 1A, 50uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. ID (T=100°C): 630mA. ID (T=25°C): 1A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 1.1 Ohms. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 150pF. Kosten): 30pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 4A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4NF20L. Pd (Verlustleistung, max): 3.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 10.4 ns. Td(on): 2 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V

N-Kanal-Transistor, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 100A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 80V. C(in): 5955pF. Kosten): 244pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 38 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 400A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 100N8F6. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 176W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 103 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: STripFET™ F6 technology. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.75 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P10NK60Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 115W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 18 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.65 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1370pF. Kosten): 156pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 570 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P10NK60ZFP. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.78 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 2180pF. Kosten): 205pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 645 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zenerdiodenschutz. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P10NK80Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 6A, 9A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.78 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 2180pF. Kosten): 205pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 645 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: mit Zenerdiode geschützt. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P10NK80ZFP. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220FP, 800V, 9A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220FP. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P10NK80ZFP. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.9 Ohms @ 4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 30 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 65 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2180pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 400V. C(in): 1250pF. Kosten): 210pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 42.8A. IDss (min): 1uA. Hinweis: Viso 2000VDC. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 10 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 400V, 9A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P11NK40Z. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 4.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 930pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 110W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1000pF. Kosten): 230pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 390 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 6 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1000pF. Kosten): 230pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 390 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 6 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 6.3A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.37 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 850pF. Kosten): 44pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 130 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 40A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11NM60ND. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V