Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 3.38€ | 4.02€ |
5 - 9 | 3.21€ | 3.82€ |
10 - 24 | 3.04€ | 3.62€ |
25 - 49 | 2.87€ | 3.42€ |
50 - 99 | 2.81€ | 3.34€ |
100 - 193 | 2.74€ | 3.26€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 3.38€ | 4.02€ |
5 - 9 | 3.21€ | 3.82€ |
10 - 24 | 3.04€ | 3.62€ |
25 - 49 | 2.87€ | 3.42€ |
50 - 99 | 2.81€ | 3.34€ |
100 - 193 | 2.74€ | 3.26€ |
N-Kanal-Transistor, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V - STF9NM60N. N-Kanal-Transistor, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. IDSS (max): 100mA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.63 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 452pF. Kosten): 30pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 324 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 26A. IDss (min): 1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 9NM60N. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 52.5 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: ID pulse 26A. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 10:25.
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