N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3-1. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 04N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 31W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). Spec info: Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 790pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. Id(imp): 21.9A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 07N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 32W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, ITO-220 (PG-TO220FP), 650V, 7.3A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: ITO-220 (PG-TO220FP). Drain-Source-Spannung Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 07N60C3. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3.9V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 6 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 60 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 790pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 32W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.56 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1100pF. Kosten): 46pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. Id(imp): 24A. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 08N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 650V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 1200pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Isoliertes Gehäuse (2500 VAC, 1 Minute). Id(imp): 33A. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N65C3. Pd (Verlustleistung, max): 33W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool MOSâ„¢ Power Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 200uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3-1. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. Id(imp): 33A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 41W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 560V. C(in): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 420 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 48A. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 16N50C3. Pd (Verlustleistung, max): 34W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit. Hinweis: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). Spec info: capacités effectives ultra faibles. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 28A, 32A, 32A, 0.028 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 32A. IDSS (max): 32A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.028 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegelgesteuerter MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. ID (T=25°C): 56A. IDSS (max): 56A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263 ( D2PAK ). Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegelgesteuerter MOSFET-Transistor. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 56N03L. Pd (Verlustleistung, max): 120W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 80A, 1uA, 3.4M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.4M Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 4480pF. Kosten): 1580pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 195 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Erweiterungsmodus . Id(imp): 320A. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N04H4. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 46 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.6A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 560V. C(in): 750pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 370 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. Id(imp): 22.8A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 08N50C3. Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.093 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 55V. C(in): 215pF. Kosten): 75pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: dv/dt-bewerteter Erweiterungsmodus. Id(imp): 37A. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SPD09N05. Pd (Verlustleistung, max): 24W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 28A, 30A, 100uA, 100uA, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 30A. IDSS: 100uA. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.023 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 790pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 32 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegelgesteuerter MOSFET-Transistor. Id(imp): 112A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 28N03L. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 12 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: SIPMOS Power Transistor. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.6V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 85m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-3-1. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 04N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.78 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-3-1. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 490pF. Kosten): 160pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 04N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.78 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-3-1. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 785pF. Kosten): 33pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 520 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 18A. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 06N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 30pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 750 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. Produktionsdatum: 2015/05. Id(imp): 14.6A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 07N60S5. Pd (Verlustleistung, max): 83W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 170 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.56 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1100pF. Kosten): 46pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. Id(imp): 24A. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 08N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 104W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 100V, 10A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 10N10. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 12 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 44 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 426pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 1200pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. Id(imp): 33A. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-3-1. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1460pF. Kosten): 610pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 650ms. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 22A. IDss (min): 25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N60S5. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 130 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 11A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 33A. Pd (Verlustleistung, max): 156W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Cool Mos. Funktion: ID pulse 33A. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 51A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SPP17N80C2. Pd (Verlustleistung, max): 208W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Cool Mos. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 2320pF. Kosten): 1250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 51A. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 17N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. ID (T=100°C): 13.1A. ID (T=25°C): 20.7A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): P-TO220-3-1. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 2400pF. Kosten): 780pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 62.1A. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 67 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS