N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.35 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 1630pF. Kosten): 750pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 612 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(imp): 44A. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P11NM80. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 46 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: MDmesh MOSFET. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 77A, 110A, 10uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 77A. ID (T=25°C): 110A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.009 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 5200pF. Kosten): 785pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 152 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 440A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P120NF10. Pd (Verlustleistung, max): 312W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 132 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 550V. C(in): 1000pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 48A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P12NM50. Pd (Verlustleistung, max): 160W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 550V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 550V. C(in): 1000pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 270 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 48A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P12NM50FP. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(on): 20 ns. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.28 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 790pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 290 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13NM60N. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 30 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: ID pulse 44A. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 9A, 14A, 10uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.16 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 120V. C(in): 460pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 56A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P14NF12. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 32 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 7.6A, 14A, 50uA, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 2000pF. Kosten): 238pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 470 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 48A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P14NK50ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Zenerdiodenschutz. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.08 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 315pF. Kosten): 70pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 64A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P16NF06. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 7 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: STripFET™ II Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit, niedrige Gate-Ladung. Spec info: ID pulse 64A, Low gate charge. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.08 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 345pF. Kosten): 72pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 64A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Low Gate Charge. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 60.4k Ohms, 60.4k Ohms, 100uA, 3m Ohms, TO-220, TO-220, 40V. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 40V. C(in): 5100pF. Kosten): 1270pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 67 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 480A. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 200N4F3. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schalten, Automobilanwendungen. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 14A, 20A, 20A, 0.06 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 20A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.06 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGHdv/dtCAP. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: II Power Mos. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Low Gate Charge

N-Kanal-Transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1300pF. Kosten): 500pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P20NM60FD. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 192W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 8 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Niedrige Gate-Kapazität. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.025 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1500pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 390 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P20NM60FP. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh™ MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.055 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 870pF. Kosten): 125pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 100us. Diodenschwellenspannung: 1.5V. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 104A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P24NF10. Pd (Verlustleistung, max): 85W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.135 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1800pF. Kosten): 115pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 26NM60N. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 13 ns. Td(on): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.038 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1180pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 110us. Diodenschwellenspannung: 1.3V. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 140A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 115W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 21A, 30A, 10uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 690pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P36NF06. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 27 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Funktion: trr 65ns, effizientes DV/DT

N-Kanal-Transistor, 12A, 18A, 18A, 0.032 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 18A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 72A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Menge pro Karton: 1. Funktion: trr 65ns, effizientes DV/DT

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 60V, 30A, 60.4k Ohms. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Gehäuse (JEDEC-Standard): 60.4k Ohms. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P36NF06L. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 660pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.9A. IDSS (max): 2.9A. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS

N-Kanal-Transistor, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 400pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 13.2A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P3NB60. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 11 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4.6 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 440pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 650 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Id(imp): 10.4A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 15 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 3.5A, 3.5A, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 3.5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 900V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PowerMESH III

N-Kanal-Transistor, TO-220FP, 3.6 Ohms, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, 600V, 600V. Gehäuse: TO-220FP. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6 Ohms. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS (max): 2.4A. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3 Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Drain-Source-Spannung (Vds): 600V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 2.4A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SuperMESH Power MOSFET

N-Kanal-Transistor, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Sehr hohes du/dt-Verhältnis, für Schaltanwendungen. Id(imp): 10A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P3NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja