N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1300pF. Kosten): 500pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 240 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Niedrige Gate-Kapazität. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P20NM60FD. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 192W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 8 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.025 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.025 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1500pF. Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 390 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P20NM60FP. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: MDmesh™ MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.055 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 870pF. Kosten): 125pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100us. Diodenschwellenspannung: 1.5V. Transistortyp: MOSFET. Funktion: SWITCHING APPLICATION. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 104A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P24NF10. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 85W. RoHS: ja. Spec info: Niedrige Eingangsaufladung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.135 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1800pF. Kosten): 115pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 450 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltkreise. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 26NM60N. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Spec info: Niedrige Eingangskapazität und Gate -Ladung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 13 ns. Td(on): 85 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 25A, 35A, 10uA, 0.038 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.038 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 100V. C(in): 1180pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 110us. Diodenschwellenspannung: 1.3V. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 140A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 115W. RoHS: ja. Spec info: Niedrige Eingangsaufladung. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 21A, 30A, 10uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 690pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: trr 65ns, effizientes DV/DT. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P36NF06. Pd (Verlustleistung, max): 70W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 27 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 12A, 18A, 18A, 0.032 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 60V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 18A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.032 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: trr 65ns, effizientes DV/DT. Id(imp): 72A. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: STripFET II POWER MOSFET

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 60V, 30A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P36NF06L. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 19 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 660pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.9A. IDSS (max): 2.9A. Einschaltwiderstand Rds On: 4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS

N-Kanal-Transistor, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 400pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 13.2A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P3NB60. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 11 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 1.6A, 2.6A, 50uA, 4.6 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4.6 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 440pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 650 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 10.4A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 15 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 3.5A, 3.5A, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 3.5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 900V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PowerMESH III

N-Kanal-Transistor, 2.4A, 2.4A, 3.3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V, 1.51A. ID (T=25°C): 2.4A. IDSS (max): 2.4A. Einschaltwiderstand Rds On: 3.3 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. ID (T=100°C): 1.51A. Kanaltyp: N. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Id(imp): 9.6A

N-Kanal-Transistor, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.8 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 485pF. Kosten): 57pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 384 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Sehr hohes du/dt-Verhältnis, für Schaltanwendungen. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 10A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P3NK80Z. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 1.89A, 3A, 50uA, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. ID (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.6 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 590pF. Kosten): 63pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 510 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. G-S-Schutz: ja. Id(imp): 12A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 25W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 4.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 700pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 16A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 50uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. C(in): 700pF. Kosten): 95pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 600 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 16A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 12 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 500V, 3A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P4NK50Z. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 310pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 45W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 4A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.76 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. Id(imp): 16A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SuperMESH

N-Kanal-Transistor, 4A, 4A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 4A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 600V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SuperMESH

N-Kanal-Transistor, 1.89A, 3A, 3A, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. ID (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. IDSS (max): 3A. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 800V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SuperMESH

N-Kanal-Transistor, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.019 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 3050pF. Kosten): 380pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 220A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P55NE06. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(on): 30 ns. Technologie: Leistungs-MOSFET-Transistor. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

N-Kanal-Transistor, 60V, TO220. Vdss (Drain-Source-Spannung): 60V. Gehäuse: TO220. Pd (Verlustleistung, max): 110W. Polarität: MOSFET N. Id bei Tc=25°C (kontinuierlicher Drainstrom): 50A. Antriebsspannung: 10V. Gate/Source-Spannung Vgs max: -20V. Montageart: THT

N-Kanal-Transistor, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 1700pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: ja. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 220A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P55NF06L. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 95W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 40ms. Td(on): 20ms. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1.7V. Vgs(th) min.: 1V

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, 1 kV, 3.5A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P5NK100Z. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 52 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 1154pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C