Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 1 | 5.95€ | 7.08€ |
2 - 2 | 5.65€ | 6.72€ |
3 - 4 | 5.35€ | 6.37€ |
5 - 9 | 5.05€ | 6.01€ |
10 - 19 | 4.94€ | 5.88€ |
20 - 29 | 4.82€ | 5.74€ |
30 - 36 | 4.64€ | 5.52€ |
Menge | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.95€ | 7.08€ |
2 - 2 | 5.65€ | 6.72€ |
3 - 4 | 5.35€ | 6.37€ |
5 - 9 | 5.05€ | 6.01€ |
10 - 19 | 4.94€ | 5.88€ |
20 - 29 | 4.82€ | 5.74€ |
30 - 36 | 4.64€ | 5.52€ |
N-Kanal-Transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V - STGW30NC120HD. N-Kanal-Transistor, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 2510pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Produktionsdatum: 201509. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 135A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: GW30NC120HD. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 220W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 275 ns. Td(on): 29 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.75V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 25V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.75V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.75V. Funktion: hohe Strombelastbarkeit, hohe Eingangsimpedanz. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 10:25.
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