N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.039 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 707pF. Kosten): 224pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20N6LG. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 25 ns. Td(on): 9.6 ns. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 20A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 20N06LG. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 990pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 12A, 12A, 0.084 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 12A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.084 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 45A. Pd (Verlustleistung, max): 48W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Power MOSFET. Funktion: ID pulse 45A/10us. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 55094G

N-Kanal-Transistor, 9A, 9A, 0.122 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.122 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 27A. Pd (Verlustleistung, max): 29W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Power MOSFET. Funktion: ID pulse 27A/10us. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 3150G

N-Kanal-Transistor, 12A, 12A, 0.089 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 12A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.089 Ohms. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Spannung Vds(max): 60V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 45A. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Power MOSFET. Hinweis: 55L104G. Funktion: Logikpegel, ID-Impuls 45A/10us. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 12A, 10uA, 0.089 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.089 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. C(in): 316pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 45A. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 48W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 9.2 ns. Technologie: Power MOSFET. Gate/Source-Spannung Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Logikpegel, ID-Impuls 45A/10us. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 55L104G. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 12A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 55L104G. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 440pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

N-Kanal-Transistor, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 96A. ID (T=25°C): 124A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 3.4M Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 4490pF. Kosten): 952pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 34 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 230A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4804NG. Pd (Verlustleistung, max): 107W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 24 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 4804NG. Spec info: ID pulse 230A. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 5.1A, 25uA, TSOP, TSOP-6, 20V, 0.036 Ohms. ID (T=25°C): 5.1A. IDSS (max): 25uA. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): TSOP-6. Spannung Vds(max): 20V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.036 Ohms. C(in): 510pF. Kosten): 200pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 446. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 35 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V. Anzahl der Terminals: 6. Funktion: Lithium-Ionen-Akku-Anwendungen, Notebook-PC. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 3000. Spec info: Gate-Steuerung durch Logikpegel. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 118A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.02 Ohms. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247-3L, CASE 340CX. Spannung Vds(max): 900V. C(in): 4416pF. Kosten): 296pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 472A. IDss (min): 100uA. Pd (Verlustleistung, max): 503W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 19V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Technologie: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Funktion: USV, DC/DC-Wandler, Boost-Wechselrichter. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 38A, 53A, 53A, 7.6m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. ID (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 53A. IDSS (max): 53A. Einschaltwiderstand Rds On: 7.6m Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8FL. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 108A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4744N. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 47W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Power MOSFET. Funktion: ID pulse 108A/10ms. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 4744N

N-Kanal-Transistor, 138A, 191A, 191A, 1.3M Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. ID (T=100°C): 138A. ID (T=25°C): 191A. IDSS (max): 191A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.3M Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8FL. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 288A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4833N. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 114W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Power MOSFET. Funktion: ID pulse 288A/10ms. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 4833N

N-Kanal-Transistor, 75A, 104A, 104A, 2.9m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 104A. IDSS (max): 104A. Einschaltwiderstand Rds On: 2.9m Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8FL. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 208A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 4835N. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 63W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Power MOSFET. Funktion: ID pulse 208A/10ms. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 4835N

N-Kanal-Transistor, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 10A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.03 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 790pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 15.5 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Verbesserung der Logikebene. Id(imp): 40A. Pd (Verlustleistung, max): 32W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 11.8 ns. Td(on): 2.2 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 30A, 0.1uA, 30A, TO-220, TO-220AB, 0.014 Ohms. ID (T=25°C): 30A. IDSS: 0.1uA. IDSS (max): 30A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. C(in): 860pF. Kosten): 450pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). ID (T=25°C): 50A. IDSS: 50uA. IDSS (max): 50A. Einschaltwiderstand Rds On: 5.1M Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263 (D2PAK). C(in): 2780pF. Kosten): 641pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 34 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 100A. Pd (Verlustleistung, max): 59.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 35 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. IDSS: 25uA. IDSS (max): 50A. Einschaltwiderstand Rds On: 15m Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 20V. C(in): 1200pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Id(imp): 150A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 75A. IDSS: 25uA. IDSS (max): 75A. Einschaltwiderstand Rds On: 5M Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 20V. C(in): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 37 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Id(imp): 170A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 24 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-404. Spannung Vds(max): 25V. C(in): 920pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 52 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Feldeffekt-Leistungstransistor, Steuerung des Logikpegels. Id(imp): 180A. IDss (min): 0.05uA. Pd (Verlustleistung, max): 86W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 78 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: TrenchMOS transistor. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 45A, 45A, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 25V. ID (T=25°C): 45A. IDSS (max): 45A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 25V. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Feldeffekt-Leistungstransistor, Steuerung des Logikpegels. Id(imp): 180A. Pd (Verlustleistung, max): 86W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: TrenchMOS transistor. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 6.2A, 8.7A, 8.7A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.7A. IDSS (max): 8.7A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 88W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS SOT78

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 1.9A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: PMV213SN. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 5.5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 9.5 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 330pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V. ID (T=100°C): 47A. ID (T=25°C): 68A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 13.9m Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK (SOT404). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 3195pF. Kosten): 221pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 52 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Standardschaltung. Id(imp): 272A. IDss (min): 0.06uA. Pd (Verlustleistung, max): 170W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 52.5 ns. Td(on): 20.7 ns. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 60.8A, 75A, 500uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 100V. ID (T=100°C): 60.8A. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 500uA. Einschaltwiderstand Rds On: 12m Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). Spannung Vds(max): 100V. C(in): 4900pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 80 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 240A. IDss (min): 0.05uA. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 95 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor . Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 36A, 50A, 500uA, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V, 30 milliOhms. ID (T=100°C): 36A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 500uA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). Spannung Vds(max): 150V. Einschaltwiderstand Rds On: 30 milliOhms. C(in): 4720pF. Kosten): 456pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 118 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 200A. IDss (min): 0.05uA. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 79 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor . Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: IDM 200A (Tmb 25°C; pulsed). G-S-Schutz: NINCS