N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 1.4A, 1.4A, 30 v. ID (T=25°C): 1.4A. IDSS (max): 1.4A. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Transistortyp: FET. Funktion: 0505-111646. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: SMD 5p.. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code QU

N-Kanal-Transistor, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1700pF. Kosten): 184pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 430 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 49W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 76 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: SMPS, Hochgeschwindigkeitsschaltung. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F. Spannung Vds(max): 650V. C(in): 1650pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 355 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 48A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 49.6W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 132 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: SMPS, Hochgeschwindigkeitsschaltung. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.72 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 500V. C(in): 780pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 272 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 28 nC, niedriger CrSS 24 pF. Id(imp): 36A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 38W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Betriebstemperatur: +55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.65 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 1160pF. Kosten): 134pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 360ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MDF9N60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 48W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 48 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: SMPS, Hochgeschwindigkeitsschaltung. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 2A, 6uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 62V. ID (T=25°C): 2A. IDSS (max): 6uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 62V. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Autoelektronik. IDss (min): 0.6uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: L2N06CL. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 5us. Td(on): 1us. Technologie: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 10V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: MOSFET HYBRID. G-S-Schutz: ja

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 60V, 0.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MMBF170. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 40pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236AB, 60V, 0.5A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 6Z. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 10 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 60pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 30 v, 25mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: 25mA. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 6K. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Komponentenfamilie: N-Kanal-JFET-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. IDSS (max): 9mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 25V. C(in): 4.5pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: JFET. Funktion: Uni sym. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 61 S. Pd (Verlustleistung, max): 2mA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Allzweck-JFET-Transistor. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 3.5V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 7V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 61S. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 1mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. IDSS (max): 1mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 40V. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Transistortyp: JFET. IDss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 62 P. Pd (Verlustleistung, max): 0.2mA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 40V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 62P. Konditionierungseinheit: 3000. Spec info: VGS(off) 0.3V...1.5V. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. IDSS (max): 30mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 25V. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Transistortyp: FET. Funktion: VHF/UHF-Verstärker, Oszillator und Mischer. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6U. Pd (Verlustleistung, max): 12mA. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 6U. Konditionierungseinheit: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. IDSS (max): 60mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Spannung Vds(max): 25V. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Transistortyp: FET. Funktion: VHF/UHF-Verstärker, Oszillator und Mischer. IDss (min): 24mA. IGF: 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6T. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 6T. Konditionierungseinheit: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 25V, 60mA. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 25V. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: 60mA. RoHS: ja. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 6T. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Komponentenfamilie: N-Kanal-JFET-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 600V. C(in): 890pF. Kosten): 670pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 375 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PFC-Stromversorgungsstufen, Schaltanwendungen, Motorsteuerung, DC/DC-Wandler. Id(imp): 33A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 60R360P. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 31W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 80 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: N-channel POWER MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.22A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: JD. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 1.6V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 16 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 60pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.36W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 410pF. Kosten): 114pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Trr-Diode (Min.): 55.7 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 45A. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 48W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 14 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Transistor mit Logikpegel-Gate. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-247AE, 100V, 45A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AE. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MTW45N10E. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 50 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 170 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5000pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 180W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, PCB-Löten, TO-264, 100V, 100A. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-264. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MTY100N10E. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 96 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 372 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 10640pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. IDSS (max): 52A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Id(imp): 156A. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 25A, 25A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=25°C): 25A. IDSS (max): 25A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 30 v. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Logikpegel-Verbesserungsmodus. Id(imp): 100A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, 75A, 75A, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 75A. IDSS (max): 75A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.013 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 60V. C(in): 2960pF. Kosten): 1130pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 225A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor“. Menge pro Karton: 1

N-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, 30 v, 1.7A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: NDS355AN_NL. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 195pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

N-Kanal-Transistor, SO, SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: 2xV-MOS. Menge pro Karton: 2

N-Kanal-Transistor, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. ID (T=25°C): 82A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4.1m Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): MP-25ZP. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 6400pF. Kosten): 465pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 328A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 82N055. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 142W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 72 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 900. Spec info: MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: NINCS