Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren N-Kanal-FETs und MOSFETs

N-Kanal-Transistor, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v - Q67042-S4113

N-Kanal-Transistor, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v - Q67042-S4113
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N-Kanal-Transistor, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v - Q67042-S4113. N-Kanal-Transistor, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 5M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 2930pF. Kosten): 1150pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 380A. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N03L04. Pd (Verlustleistung, max): 188W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Cool Mos. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 18:25.

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IRLB8743PBF

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IRLB8743PBF
N-Kanal-Transistor, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.5M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 5110pF. Kosten): 960pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: UPS, DC/DC-Wandler. Id(imp): 620A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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N-Kanal-Transistor, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. IDSS (max): 100uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.5M Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 5110pF. Kosten): 960pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: UPS, DC/DC-Wandler. Id(imp): 620A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 140W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 25 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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IRLB8748PBF

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STP80NF55-08

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