N-Kanal-Transistor, 15A, TO-220, TO-220AC, 1200V - SGP15N120

N-Kanal-Transistor, 15A, TO-220, TO-220AC, 1200V - SGP15N120. N-Kanal-Transistor, 15A, TO-220, TO-220AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. RoHS: ja. C(in): 1250pF. Kosten): 100pF. CE-Diode: NINCS. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Trr-Diode (Min.): 3. Funktion: Motorsteuerungen, Wechselrichter, SMPS. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 30A. Ic(Impuls): 52A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G15N120. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 198W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 580 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: Schneller IGBT in NPT-Technologie. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.6V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 00:25.