N-Kanal-Transistor, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V - NP82N055PUG

N-Kanal-Transistor, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V - NP82N055PUG. N-Kanal-Transistor, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. ID (T=25°C): 82A. IDSS (max): 1uA. Einschaltwiderstand Rds On: 4.1m Ohms. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): MP-25ZP. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 6400pF. Kosten): 465pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 328A. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 82N055. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 142W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 72 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 900. Spec info: MOSFET-Transistor. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 00:25.