N-Kanal-Transistor, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V - P2804BDG

N-Kanal-Transistor, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V - P2804BDG. N-Kanal-Transistor, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 10A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 10A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.03 Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( D-PAK ). Spannung Vds(max): 40V. C(in): 790pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: NINCS. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 15.5 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Verbesserung der Logikebene. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 40A. Pd (Verlustleistung, max): 32W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 11.8 ns. Td(on): 2.2 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 02:25.