N-Kanal-Transistor, 6.2A, 8.7A, 8.7A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - PHP9NQ20T
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.09€ | 4.87€ |
| 5 - 9 | 3.88€ | 4.62€ |
| 10 - 24 | 3.76€ | 4.47€ |
| 25 - 49 | 3.68€ | 4.38€ |
| 50 - 99 | 3.60€ | 4.28€ |
| 100+ | 3.39€ | 4.03€ |
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N-Kanal-Transistor, 6.2A, 8.7A, 8.7A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - PHP9NQ20T. N-Kanal-Transistor, 6.2A, 8.7A, 8.7A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.7A. IDSS (max): 8.7A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 88W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: V-MOS SOT78. Originalprodukt vom Hersteller Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 09/06/2025, 00:25.
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N-Kanal-Transistor, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. C(in): 1300pF. Kosten): 430pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Id(imp): 72A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V
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