N-Kanal-Transistor, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v - FDS6690A

N-Kanal-Transistor, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v - FDS6690A. N-Kanal-Transistor, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 9.8m Ohms. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 1205pF. Kosten): 290pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2500. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 24 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 50A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 28 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Funktion: Logikpegelsteuerung. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 00:25.