N-Kanal-Transistor, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V - FDA59N25

N-Kanal-Transistor, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V - FDA59N25. N-Kanal-Transistor, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 59A. IDSS (max): 10uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.041 Ohms. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Spannung Vds(max): 250V. C(in): 3090pF. Kosten): 630pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 236A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 392W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 17:25.