IRF7807Z

IRF7807Z. C(in): 770pF. Kosten): 190pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 31us. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Integrierter Schaltkreis für DC-DC-Wandler. Id(imp): 88A. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 10 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 05:25.