IRFBF20S

IRFBF20S. C(in): 490pF. Kosten): 55pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 350 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 6.8A. ID (T=100°C): 1.1A. ID (T=25°C): 1.7A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 54W. Einschaltwiderstand Rds On: 8 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 56 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-262 ( I2-PAK ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-262. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 900V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.