N-Kanal-Transistor, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ24N

N-Kanal-Transistor, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V - IRFZ24N. N-Kanal-Transistor, 10A, 17A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Einschaltwiderstand Rds On: 0.07 Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 55V. C(in): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 68A. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 02:25.