NPN-Transistor, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V - 2SB1659

NPN-Transistor, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V - 2SB1659. NPN-Transistor, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): MT-25 (TO220). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 110V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 100pF. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 5000. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD2589. Transistortyp: PNP. VCBO: 110V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller Sanken. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 00:25.