Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 3.99€ | 4.75€ |
5 - 9 | 3.79€ | 4.51€ |
10 - 24 | 3.59€ | 4.27€ |
25 - 49 | 3.39€ | 4.03€ |
50 - 99 | 3.31€ | 3.94€ |
100+ | 3.11€ | 3.70€ |
Menge | U.P | |
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1 - 4 | 3.99€ | 4.75€ |
5 - 9 | 3.79€ | 4.51€ |
10 - 24 | 3.59€ | 4.27€ |
25 - 49 | 3.39€ | 4.03€ |
50 - 99 | 3.31€ | 3.94€ |
100+ | 3.11€ | 3.70€ |
2SB1204. Kosten): 95pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: High-Current switching, low-sat. Kollektorstrom: 8A. Id(imp): 12A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf (Typ): 20 ns. Gehäuse: TO-251 ( I-Pak ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-251 ( I-Pak ). Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1804. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.
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