Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

2SB1143

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Set mit 1

2SB1143. Kosten): 39pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126ML. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: NF/SL. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1683. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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