2SB1470

2SB1470. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: Optimal für 120 W Hi-Fi-Ausgang. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Minimaler hFE-Gewinn: 3500. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffusion Planar Type Darlington“. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TOP-3L. Transistortyp: PNP. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.