Transistoren

C(in): 1802pF. Kosten): 415pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P3020LS. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0116 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 46 ns. Td(on): 5.1 ns. Technologie: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Verschiedenes: Schnelle Schaltgeschwindigkeit, geringer Eingangs-/Ausgangsverlust. Funktion: Niedriger Einschaltwiderstand, niedrige Gate-Schwellenspannung, niedrige Eingangskapazität. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 14. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 14

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Digitaler Transistor (eingebauter Vorspannungswiderstand). Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 14. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 14

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: Digitale Transistoren (eingebaute Widerstände). Kollektorstrom: 0.1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 15. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 15. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SC-72. Gehäuse (laut Datenblatt): SC-72 ( D143 ). Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V

Widerstand B: 4.7k Ohms. BE-Widerstand: 47k Ohms. Kosten): 3pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Mit einem PNP-Widerstand ausgestatteter Transistor. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 10V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 19. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Widerstand B: 10k Ohms. BE-Widerstand: 10k Ohms. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: DTR.. Kollektorstrom: 50mA. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 24. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 0.2W. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SC-59. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 24. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Widerstand B: 4.7k Ohms. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Transistor mit eingebautem Vorspannungswiderstand. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 100mA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 33. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: *33, P33, t33, w33. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Produktionsdatum: 2014/49. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 18. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 10V

Widerstand B: 47k Ohms. BE-Widerstand: 47k Ohms. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 0.03A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 26. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 26. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Kollektorstrom: 0.1A. Leistung: 0.3W. Max Frequenz: 250MHz. Gehäuse: SC-72. BE-Widerstand: 47k+22k Ohms

Pinbelegung: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 900pF. Kosten): 500pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Verschiedenes: HI-FI-Leistungsverstärker. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 155 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.1V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ECW20P20. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Pinbelegung: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 1850pF. Kosten): 850pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Verschiedenes: HI-FI-Leistungsverstärker. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 105 ns. Td(on): 150 ns. Technologie: P-Kanal-MOSFET-Leistungstransistor. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.1V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ECW20N20. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Pinbelegung: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Verschiedenes: HI-FI-Leistungsverstärker. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.15V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ECX10P20. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

Pinbelegung: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(in): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Verschiedenes: HI-FI-Leistungsverstärker. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUDIO-LEISTUNGSVERSTÄRKER MOSFET. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: P-Kanal-MOSFET-Leistungstransistor. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 1.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 0.15V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ECX10N20. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Power Darlington NPN-Transistormodul. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 300. Kollektorstrom: 100A. Ic(Impuls): 150A. Hinweis: verschraubt. Anzahl der Terminals: 4. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 225W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Gehäuse: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOTOP ( SOT-227 ). Transistortyp: NPN & NPN. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 7V. Spec info: Single Dual Emitter

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse: ISOTOP. Konfiguration: verschraubt. Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: ESM6045DV. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 84A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 1148pF. Kosten): 671pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 390 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 119 ns. Td(on): 34 ns. Technologie: SuperFET MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 11A. Leistung: 36W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.32 Ohms. Gehäuse: TO-220F. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.33 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SuperFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Spannung (Vds): 650V

C(in): 1495pF. Kosten): 235pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 490 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP TV, Uninterruptible Power Supply. Id(imp): 66A. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 16.5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDA16N50. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 205W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.31 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: UniFET MOSFET, DMOS technology. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Niedrige Gate-Ladung. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 2280pF. Kosten): 370pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 110 ns. Transistortyp: MOSFET. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FDA24N40F. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 235W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 120ns. Td(on): 40 ns. Technologie: UniFET MOSFET, DMOS technology. Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 400V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3P. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: FDA50N50. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 48A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ 24A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 220 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 460 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6460pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 3090pF. Kosten): 630pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 190 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 236A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 59A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 392W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.041 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 3570pF. Kosten): 750pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 210 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: PDP TV, AC/DC Converter. Id(imp): 276A. ID (T=100°C): 44.2A. ID (T=25°C): 69A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 480W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.034 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 130 ns. Td(on): 95 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 250V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1970pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0087 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 28 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS