FDB8447L

FDB8447L. C(in): 1970pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 50A. IDSS (max): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0087 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 28 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 02:25.